MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

L'MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 è un modulo SDRAM DDR4 ad alta velocità che utilizza dispositivi SDRAM DDR4 con due o quattro gruppi di banchi di memoria interni. Il modulo SDRAM DDR4 con SDRAM DDR4 di 4 e 8 bit ha quattro gruppi di banchi interni costituiti da quattro banchi di memoria ciascuno, per un totale di 16 banchi. Il dispositivo SDRAM DDR4 a 16 bit ha invece due gruppi di banchi di memoria interni costituiti da quattro banchi di memoria ciascuno, il che ammonta a un totale di 8 banchi. I moduli SDRAM DDR4 godono di un'architettura di prefetch 8n con interfaccia progettata per trasferire due data word per ciclo di clock ai pin I/O. Agli effetti, un'operazione di READ o WRITE per la SDRAM DDR4 consiste in un trasferimento di dati di 8n bit in quattro cicli di clock nel core DRAM interno e in otto trasferimenti di dati di n bit corrispondenti in mezzo ciclo di clock verso i pin di I/O. Il modulo DDR4 utilizza due set di segnali differenziali: DQS-t e DQS-c per catturare i dati; e CK-t e CK-c per catturare comandi, indirizzi e segnali di controllo.

• Densità modulo: 8GB, configurazione: 1 Gig x 64, larghezza di banda modulo 25,6GB/s
• Velocità clock/dati: 0,62ns/3200 MT/s, cicli di clock: 22-22-22 (CL-tRCD-tRP)
• Tensione di alimentazione VDD: 1,14-1,26V, alimentazione di attivazione DRAM: 2,375-2,75V
• Terminazione ODT nominale e dinamica per segnali di dati, strobe e mask
• Auto refresh a bassa potenza (LPASR), data bus inversion (DBI) per il bus di dati
• Generazione e calibrazione VREFDQ sulla piastrina, single-rank, contatti bordo in oro
• EEPROM (serial presence-detect) I²C integrata, 16 banchi interni; 4 gruppi di 4 banchi ciascuno
• Burst chop (BC) fisso di 4 e burst length (BL) di 8 attraverso il set di registri di modalità (MRS)
• Topologia fly-by, bus indirizzi, comando e controllo terminato
• Package DIMM a 260 pin, temperatura di esercizio commerciale: 0-95°C