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MTA4ATF51264HZ-3G2J1.
SDRAM, DDR4 SODIMM, 4GB, 1.6GHZ
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICRON
Cod. produttoreMTA4ATF51264HZ-3G2J1.
Codice Prodotto3773867
Datasheet tecnico
Densità di Memoria4GB
Velocità di Memoria1MHz
Modulo MemoriaPC4-3200
Fattore di forma del modulo260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Applicazione MisurazioneNotebook SODIMM
Configurazione di memoria512M x 64bit
Tensione di alimentazione min1.14V
Tensione di alimentazione max1.26V
Tensione di Alimentazione Nom1.2V
Temperatura di esercizio max95°C
Gamma di prodotti-
Specifiche tecniche
Densità di Memoria
4GB
Modulo Memoria
PC4-3200
Applicazione Misurazione
Notebook SODIMM
Tensione di alimentazione min
1.14V
Tensione di Alimentazione Nom
1.2V
Gamma di prodotti
-
Velocità di Memoria
1MHz
Fattore di forma del modulo
260-Pin DDR4 SDRAM SO-DIMM
Configurazione di memoria
512M x 64bit
Tensione di alimentazione max
1.26V
Temperatura di esercizio max
95°C
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Singapore
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Singapore
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.009072