Stampa pagina
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2,133 GHz, TFBGA, 200 pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 545 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 15,490 |
| 10+ | € 14,360 |
| 25+ | € 13,910 |
| 50+ | € 13,570 |
| 100+ | € 13,170 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 15,49 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICRON
Cod. produttoreMT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Codice Prodotto3954471
Datasheet tecnico
Tipo DRAMMobile LPDDR4
Densità di Memoria16Gbit
Configurazione di memoria512M x 32 bit
Frequenza di Clock Max2.133GHz
Package/case del circuito integratoTFBGA
Numero di pin200Pin
Tensione di Alimentazione Nom1.1V
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max95°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Panoramica del prodotto
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Specifiche tecniche
Tipo DRAM
Mobile LPDDR4
Configurazione di memoria
512M x 32 bit
Package/case del circuito integrato
TFBGA
Tensione di Alimentazione Nom
1.1V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Densità di Memoria
16Gbit
Frequenza di Clock Max
2.133GHz
Numero di pin
200Pin
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
95°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001