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MT53E4G32D8GS-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 4G x 32 bit, 2.133 GHz, FBGA
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICRON
Cod. produttoreMT53E4G32D8GS-046 WT:C
Codice Prodotto4050887
Datasheet tecnico
Tipo DRAMMobile LPDDR4
Densità di Memoria128Gbit
Configurazione di memoria4G x 32 bit
Frequenza di Clock Max2.133GHz
Package/case del circuito integratoFBGA
Numero di pin-
Tensione di Alimentazione Nom1.1V
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-25°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Specifiche tecniche
Tipo DRAM
Mobile LPDDR4
Configurazione di memoria
4G x 32 bit
Package/case del circuito integrato
FBGA
Tensione di Alimentazione Nom
1.1V
Temperatura di esercizio min
-25°C
Gamma di prodotti
-
Densità di Memoria
128Gbit
Frequenza di Clock Max
2.133GHz
Numero di pin
-
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001