Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
2 508 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
A disposizione fino ad esaurimento scorte
Quantità | |
---|---|
1+ | € 15,040 |
10+ | € 13,940 |
25+ | € 13,280 |
50+ | € 11,910 |
100+ | € 11,670 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 15,04 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICRON
Cod. produttoreMT53E256M32D2DS-046 AIT:B
Codice Prodotto3530741
Datasheet tecnico
Tipo DRAMMobile LPDDR4
Densità di Memoria8Gbit
Configurazione di memoria256M x 32 bit
Frequenza di Clock Max2.133GHz
Package/case del circuito integratoWFBGA
Numero di pin200Pin
Tensione di Alimentazione Nom1.1V
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max95°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Panoramica del prodotto
- Automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 256 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 2 die addressing
- 468ps, tCK RL = 36/40 cycle time
- Frequency range from 2133 to 10MHz (data rate range from 4266 to 20Mb/s/pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -40°C to +95°C
Specifiche tecniche
Tipo DRAM
Mobile LPDDR4
Configurazione di memoria
256M x 32 bit
Package/case del circuito integrato
WFBGA
Tensione di Alimentazione Nom
1.1V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Densità di Memoria
8Gbit
Frequenza di Clock Max
2.133GHz
Numero di pin
200Pin
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
95°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Singapore
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Singapore
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000907
Tracciabilità del prodotto