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MT29F2G08ABAEAWP:E
Memoria Flash, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8 bit, parallela, TSOP-I, 48 Pin
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ProduttoreMICRON
Cod. produttoreMT29F2G08ABAEAWP:E
Codice Prodotto3677180
Gamma Prodotti3.3V Parallel NAND Flash Memories
Datasheet tecnico
285 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICRON
Cod. produttoreMT29F2G08ABAEAWP:E
Codice Prodotto3677180
Gamma Prodotti3.3V Parallel NAND Flash Memories
Datasheet tecnico
Tipo di Memoria FlashSLC NAND
Densità di Memoria2Gbit
Configurazione di memoria256M x 8 bit
Interfacceparallela
Package/case del circuito integratoTSOP-I
Numero di pin48Pin
Frequenza di Clock Max-
Tempo di Accesso16ns
Tensione di alimentazione min2.7V
Tensione di alimentazione max3.6V
Tensione di Alimentazione Nom3.3V
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min0°C
Temperatura di esercizio max70°C
Gamma di prodotti3.3V Parallel NAND Flash Memories
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Panoramica del prodotto
MT29F2G08ABAEAWP:E is a NAND flash memory. This NAND flash device includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash dies. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status. This device has an internal 4-bit ECC that can be enabled using the GET/SET features.
- Open NAND flash interface (ONFI) 1.0-compliant
- Single-level cell (SLC) technology
- Command set: ONFI NAND flash protocol
- Operation status byte provides software method for detecting: operation completion
- Pass/fail condition, write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- RESET (FFh) required as first command after power-on
- Alternate method of device initialization (Nand-Init) after power up (contact factory)
- 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage range
- 48-pin TSOP package, 0°C to +70°C commercial operating temperature range
Specifiche tecniche
Tipo di Memoria Flash
SLC NAND
Configurazione di memoria
256M x 8 bit
Package/case del circuito integrato
TSOP-I
Frequenza di Clock Max
-
Tensione di alimentazione min
2.7V
Tensione di Alimentazione Nom
3.3V
Temperatura di esercizio min
0°C
Gamma di prodotti
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densità di Memoria
2Gbit
Interfacce
parallela
Numero di pin
48Pin
Tempo di Accesso
16ns
Tensione di alimentazione max
3.6V
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
70°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Singapore
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Singapore
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85235110
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001013