MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A

MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A è una memoria flash NAND asincrona. Include un'interfaccia dati asincrona per le operazioni di I/O ad alte prestazioni. Questo dispositivo utilizza un bus di 8 bit (I/Ox) altamente multiplato per trasferire comandi, indirizzo e dati. Ci sono cinque segnali di controllo usati per implementare l'interfaccia dati asincrona: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Dei segnali aggiuntivi controllano la protezione della scrittura hardware (WP#) e lo stato del dispositivo di monitoraggio (R/B#). Questo dispositivo flash Micron NAND include in aggiunta un'interfaccia dati sincrona per le operazioni di I/O ad alte prestazioni. Quando l'interfaccia sincrona è attiva, WE# diventa CLK e RE# diventa W/R#. I trasferimenti di dati includono uno strobe di dati bidirezionale (DQS). Questa interfaccia hardware crea un dispositivo a basso numero di pin con una piedinatura standard che rimane la stessa da una densità di memoria all'altra, il che permette aggiornamenti futuri a densità maggiori senza dover riprogettare la scheda.

• Densità 128Gb, larghezza 8bit, livello di cella 1bit
• 4 matrici, 2 # di CE#, 2 di R/B#, I/O comune
• Intervallo di tensione di esercizio: da VCC 3,3V (2,7-3,6V), VCCQ 3,3V (2,7-3,6V)
• Processo in poliimmide applicato
• Fino a 5 modalità di temporizzazione asincrona, tRC/tWC: 20ns (MIN), throughput di lettura/scrittura per pin: 50MT/s
• Pagina di lettura: 35µs (max), pagina di programmazione: 350µs (tip), blocco di erase: 1,5ms (tip)
• Set di comandi: protocollo Flash NAND ONFI, set di comandi avanzati
• Cache di programma, read cache sequenziale, read cache randomica
• Operazioni di copyback supportate nel piano da cui vengono letti i dati
• Package TSOP a 48 pin, intervallo di temperatura di esercizio industriale: da -40°C a +85°C

Avvertenze

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