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MSC060SMB120B4N
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 38 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreMICROCHIP
Cod. produttoreMSC060SMB120B4N
Codice Prodotto4751108
Gamma ProdottimSiC Series
Datasheet tecnico
120 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICROCHIP
Cod. produttoreMSC060SMB120B4N
Codice Prodotto4751108
Gamma ProdottimSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id38A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza192W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottimSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Panoramica del prodotto
MSC060SMB120B4N is a 1200V, 60mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
38A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
192W
Gamma di prodotti
mSiC Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001