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LND150N3-G
MOSFET di potenza, canale N, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICROCHIP
Cod. produttoreLND150N3-G
Codice Prodotto2450521
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id30mA
Resistenza Drain-Source in conduzione1000ohm
Stile di Case del TransistorTO-92
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)0V
Tensione di soglia Gate-Source massima-
Dissipazione di potenza740mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Panoramica del prodotto
The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Easy to parallel
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
- ESD gate protection
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
30mA
Stile di Case del Transistor
TO-92
Tensione di test di Rds(on)
0V
Dissipazione di potenza
740mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1000ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
-
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00025
Tracciabilità del prodotto