DN3535N8-G

DN3535N8-G è un FET DMOS verticale a svuotamento (depletion-mode) con canale N che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e il processo di produzione Silicon Gate ampiamente collaudato di Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo dotato delle capacità di gestione della potenza dei transistori bipolari e con l’alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo propri dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, il dispositivo è privo di runaway termico e guasti secondari indotti dal calore. Il FET DMOS normalmente ON a bassa soglia è pensato idealmente per un’ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si richiedono alta tensione di breakdown, alta impedenza di ingresso, bassa capacità elettrica di ingresso e alte velocità di commutazione.

• Resistenza di ON bassa
• Non è soggetto a breakdown secondari
• Basse perdite di ingresso e uscita