DN3135K1-G

DN3135K1-G è un FET DMOS verticale a svuotamento (depletion-mode) con canale N che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e il processo di produzione Silicon Gate ampiamente collaudato di Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo dotato delle capacità di gestione della potenza dei transistori bipolari e con l’alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo propri dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, il dispositivo è privo di runaway termico e guasti secondari indotti dal calore. È pensato idealmente per un’ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui che richiedono necessariamente alta tensione di breakdown, alta impedenza di input, bassa capacità elettrica di input e alte velocità di commutazione.

• Resistenza di ON bassa
• Non è soggetto a breakdown secondari
• Bassa perdita di ingresso e uscita