DN2530N3-G

DN2530N3-G è un FET DMOS verticale a svuotamento (depletion-mode) con canale N che utilizza una struttura DMOS (Diffusion Metal Oxide Semiconductor) e un processo di produzione ampiamente testato di Silicon Gate. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistori bipolari, più l’impedenza con input elevati e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS (Metal-Oxide Semiconductor). Come tutte le strutture MOS, il dispositivo è privo di runaway termico e guasti secondari indotti dal calore. Il transistore a effetto di campo (FET) DMOS normalmente ON a bassa soglia è pensato idealmente per un’ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si richiedono una bassissima tensione di soglia, alta tensione di breakdown, alta impedenza di ingresso, bassa capacità elettrica di ingresso e alte velocità di commutazione.

• Resistenza di ON bassa
• Non è soggetto a breakdown secondari
• Basse perdite di ingresso e uscita