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LSIC1MO120E0080
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreLSIC1MO120E0080
Codice Prodotto3361191
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id39A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.8V
Dissipazione di potenza179W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
39A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.8V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
179W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto