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IXTN200N10L2
MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
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ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXTN200N10L2
Codice Prodotto3771792
Gamma ProdottiLinearL2 Series
Datasheet tecnico
56 A Stock
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| Quantità | |
|---|---|
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| 5+ | € 41,650 |
| 10+ | € 35,840 |
| 25+ | € 35,130 |
| 50+ | € 34,410 |
| 100+ | € 33,700 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXTN200N10L2
Codice Prodotto3771792
Gamma ProdottiLinearL2 Series
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id178A
Tensione Drain Source Vds100V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.011ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Stile di Case del TransistorSOT-227
Montaggio TransistoreModule
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza830W
Temperatura di esercizio max150°C
Numero di pin4Pin
Qualificazioni-
Gamma di prodottiLinearL2 Series
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
100V
Tensione di test di Rds(on)
10V
Montaggio Transistore
Module
Dissipazione di potenza
830W
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
LinearL2 Series
Corrente Continua di Drain Id
178A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.011ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-227
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.023587