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IXTA1N170DHV
MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXTA1N170DHV
Codice Prodotto3949080
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Tensione Drain Source Vds1.7kV
Corrente Continua di Drain Id1A
Resistenza Drain-Source in conduzione16ohm
Stile di Case del TransistorTO-263HV
Montaggio TransistoreSurface Mount
Tensione di test di Rds(on)0V
Tensione di soglia Gate-Source massima-
Dissipazione di potenza290W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Corrente Continua di Drain Id
1A
Stile di Case del Transistor
TO-263HV
Tensione di test di Rds(on)
0V
Dissipazione di potenza
290W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
1.7kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
16ohm
Montaggio Transistore
Surface Mount
Tensione di soglia Gate-Source massima
-
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001969
Tracciabilità del prodotto