Stampa pagina
IXFN230N20T
Transistore MOSFET, canale N, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 31,920 |
| 5+ | € 30,260 |
| 10+ | € 28,600 |
| 50+ | € 26,940 |
| 100+ | € 25,280 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 31,92 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN230N20T
Codice Prodotto3930243
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id220A
Tensione Drain Source Vds200V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0075ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0075ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza1.09kW
Dissipazione di Potenza Pd1.09kW
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Panoramica del prodotto
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
220A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0075ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.09kW
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
200V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0075ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di Potenza Pd
1.09kW
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto