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IXFN150N65X2
MOSFET, MODULE, N-CH, 650V, 145A
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ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN150N65X2
Codice Prodotto3949052
Gamma ProdottiHiPerFET X2 Series
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN150N65X2
Codice Prodotto3949052
Gamma ProdottiHiPerFET X2 Series
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Polarità TransistorN Channel
Corrente Continua di Drain Id145A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.017ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.017ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza1.04kW
Dissipazione di Potenza Pd1.04kW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiHiPerFET X2 Series
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Corrente Continua di Drain Id
145A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.017ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.04kW
Temperatura di esercizio max
150°C
Polarità Transistor
N Channel
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.017ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di Potenza Pd
1.04kW
Gamma di prodotti
HiPerFET X2 Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.039917
Tracciabilità del prodotto