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IXFN120N65X2
MOSFET, MODULE, N-CH, 650V, 108A
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ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN120N65X2
Codice Prodotto3949051
Gamma ProdottiHiPerFET X2 Series
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 41,940 |
| 5+ | € 36,730 |
| 10+ | € 31,510 |
| 25+ | € 30,350 |
| 100+ | € 29,180 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN120N65X2
Codice Prodotto3949051
Gamma ProdottiHiPerFET X2 Series
Datasheet tecnico
Polarità TransistorN Channel
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id108A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.024ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.024ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza890W
Dissipazione di Potenza Pd890W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiHiPerFET X2 Series
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
N Channel
Corrente Continua di Drain Id
108A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.024ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
890W
Temperatura di esercizio max
150°C
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.024ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di Potenza Pd
890W
Gamma di prodotti
HiPerFET X2 Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.039917
Tracciabilità del prodotto