Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFH170N25X3
Codice Prodotto3930509
Gamma Prodottiserie X3-Class HiPerFET
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Avvisami non appena disponibile
Quantità | |
---|---|
1+ | € 17,620 |
5+ | € 16,490 |
10+ | € 15,350 |
50+ | € 14,220 |
100+ | € 13,080 |
250+ | € 11,950 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 17,62 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFH170N25X3
Codice Prodotto3930509
Gamma Prodottiserie X3-Class HiPerFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds250V
Corrente Continua di Drain Id170A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0061ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza890W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiserie X3-Class HiPerFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Panoramica del prodotto
Diodo intrinseco rapido, testato per valanga, a canale N, in modalità ad arricchimento. È adatto per l'uso nei convertitori DC-DC, alimentatori SMPS e in modalità risonante, circuiti AC, azionamenti di motori in alternata e continua, circuiti PFC, robotica e applicazioni con servocontrollori.
- Bassa RDS(ON) e QG
- Bassa induttanza di package
- Densità di potenza elevata
- Facile da montare
- Salva spazio
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
170A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
890W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
250V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0061ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
serie X3-Class HiPerFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto