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ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXTN210P10T
Codice Prodotto3438414
Gamma ProdottiTrenchP
Datasheet tecnico
158 A Stock
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Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXTN210P10T
Codice Prodotto3438414
Gamma ProdottiTrenchP
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Polarità Transistorcanale P
Corrente Continua di Drain Id210A
Tensione Drain Source Vds100V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0075ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0075ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza830W
Dissipazione di Potenza Pd830W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchP
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Panoramica del prodotto
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
210A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0075ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
830W
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarità Transistor
canale P
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0075ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Dissipazione di Potenza Pd
830W
Gamma di prodotti
TrenchP
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004
Tracciabilità del prodotto