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IXTN102N65X2
Transistore MOSFET, classe X2, canale N, 76A, 650V, 0.03 ohm, 10V, 5V, SOT-227B
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXTN102N65X2
Codice Prodotto2674786
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id76A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.03ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.03ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di Potenza Pd595W
Dissipazione di potenza595W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
76A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.03ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
595W
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.03ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di potenza
595W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (17-Jan-2023)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.03
Tracciabilità del prodotto