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ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFP12N65X2
Codice Prodotto3438390
Gamma ProdottiX2-Class HiperFET
Datasheet tecnico
215 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFP12N65X2
Codice Prodotto3438390
Gamma ProdottiX2-Class HiperFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id12A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.31ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza180W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiX2-Class HiperFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
12A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
180W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.31ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
X2-Class HiperFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004