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IXFN55N50
Transistore MOSFET, HiPerFET, canale N, 55 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 4.5 V
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| Quantità | |
|---|---|
| 300+ | € 31,470 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN55N50
Codice Prodotto4905647
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id55A
Tensione Drain Source Vds500V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorISOTOP
Tensione di test di Rds(on)10V
Montaggio Transistoremodulo
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza600W
Temperatura di esercizio max150°C
Numero di pin3Pin
Gamma di prodotti-
Panoramica del prodotto
The IXFN55N50 is a single N-channel Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
- UL94V-0 Flammability rating
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
500V
Stile di Case del Transistor
ISOTOP
Montaggio Transistore
modulo
Dissipazione di potenza
600W
Numero di pin
3Pin
Corrente Continua di Drain Id
55A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.046
Tracciabilità del prodotto