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IXFN200N10P
Transistore MOSFET, PolarFET, canale N, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
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ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN200N10P
Codice Prodotto1427322
Gamma ProdottiPolar(TM) HiPerFET
Datasheet tecnico
522 A Stock
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| Quantità | |
|---|---|
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| 5+ | € 20,940 |
| 10+ | € 17,700 |
| 50+ | € 17,630 |
| 100+ | € 17,560 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN200N10P
Codice Prodotto1427322
Gamma ProdottiPolar(TM) HiPerFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id200A
Tensione Drain Source Vds100V
Resistenza Drain-Source in conduzione7500µohm
Stile di Case del TransistorISOTOP
Tensione di test di Rds(on)15V
Montaggio Transistoremodulo
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza680W
Temperatura di esercizio max175°C
Numero di pin4Pin
Gamma di prodottiPolar(TM) HiPerFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
100V
Stile di Case del Transistor
ISOTOP
Montaggio Transistore
modulo
Dissipazione di potenza
680W
Numero di pin
4Pin
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Corrente Continua di Drain Id
200A
Resistenza Drain-Source in conduzione
7500µohm
Tensione di test di Rds(on)
15V
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
Polar(TM) HiPerFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.03
Tracciabilità del prodotto