Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
507 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
1+ | € 26,310 |
5+ | € 22,790 |
10+ | € 19,260 |
50+ | € 18,790 |
100+ | € 18,320 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 26,31 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN180N15P
Codice Prodotto1427321
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id150A
Tensione Drain Source Vds150V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.011ohm
Stile di Case del TransistorISOTOP
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Montaggio Transistoremodulo
Dissipazione di potenza680W
Temperatura di esercizio max175°C
Numero di pin4Pin
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
The IXFN180N15P is a 150V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Fast recovery diode
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance offers easy to drive and protect
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
150V
Stile di Case del Transistor
ISOTOP
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di potenza
680W
Numero di pin
4Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Corrente Continua di Drain Id
150A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.011ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Montaggio Transistore
modulo
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.040823