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ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN132N50P3
Codice Prodotto2674760
Gamma ProdottiPolar3 HiPerFET
Datasheet tecnico
Tolto dall'assortimento
Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN132N50P3
Codice Prodotto2674760
Gamma ProdottiPolar3 HiPerFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Corrente Continua di Drain Id112A
Tensione Drain Source Vds500V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.039ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.039ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di Potenza Pd1.5kW
Dissipazione di potenza1.5kW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiPolar3 HiPerFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
112A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.039ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
1.5kW
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.039ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di potenza
1.5kW
Gamma di prodotti
Polar3 HiPerFET
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.03