Stampa pagina
IXFN100N50P
Transistore MOSFET, PolarFET, canale N, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
168 A Stock
300 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 44,260 |
| 5+ | € 38,790 |
| 10+ | € 33,310 |
| 50+ | € 32,660 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 44,26 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFN100N50P
Codice Prodotto1427318
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id100A
Tensione Drain Source Vds500V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.049ohm
Stile di Case del TransistorISOTOP
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Montaggio Transistoremodulo
Dissipazione di potenza1.04kW
Temperatura di esercizio max150°C
Numero di pin4Pin
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Panoramica del prodotto
The IXFN100N50P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, fast recovery diode and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast recovery diode
- Low inductance
- UL94V-0 Flammability rating
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
500V
Stile di Case del Transistor
ISOTOP
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di potenza
1.04kW
Numero di pin
4Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Corrente Continua di Drain Id
100A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.049ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Montaggio Transistore
modulo
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.03
Tracciabilità del prodotto