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ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFH12N100P
Codice Prodotto3438377
Gamma ProdottiPolar HiPerFET
Datasheet tecnico
582 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXFH12N100P
Codice Prodotto3438377
Gamma ProdottiPolar HiPerFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds1kV
Corrente Continua di Drain Id12A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.05ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima6.5V
Dissipazione di potenza436W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiPolar HiPerFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
12A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
436W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
1kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.05ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
6.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Polar HiPerFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004
Tracciabilità del prodotto