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IXDN75N120
Modulo IGBT, configurazione singola, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Tolto dall'assortimento
Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXDN75N120
Codice Prodotto3438369
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTconfigurazione singola
Polarità TransistorNPN
Corrente di Collettore CC150A
Corrente di Collettore continua150A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)2.2V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.2V
Dissipazione di potenza660W
Dissipazione di Potenza Pd660W
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Temperatura di esercizio max150°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Stile di Case del TransistorSOT-227B
Terminazione IGBTprigioniero
Numero di pin4Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT NPT [Standard]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
configurazione singola
Corrente di Collettore CC
150A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
2.2V
Dissipazione di potenza
660W
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Terminazione IGBT
prigioniero
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarità Transistor
NPN
Corrente di Collettore continua
150A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.2V
Dissipazione di Potenza Pd
660W
Temperatura di esercizio max
150°C
Stile di Case del Transistor
SOT-227B
Numero di pin
4Pin
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT NPT [Standard]
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004