Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreSPA16N50C3XKSA1
Codice Prodotto2212873
Anche noto comeSPA16N50C3, SP000216351
Datasheet tecnico
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreSPA16N50C3XKSA1
Codice Prodotto2212873
Anche noto comeSPA16N50C3, SP000216351
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds560V
Corrente Continua di Drain Id16A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.28ohm
Stile di Case del TransistorTO-220FP
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza160W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Alternative per SPA16N50C3XKSA1
3 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
SPA16N50C3 is a 500V CoolMOS™ C3 N-channel power MOSFET. Applications include server, telecom, consumer, PC power, adapter.
- Low specific on-state resistance (RDS(on)*A), high efficiency and power density
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) at 400V
- Low gate charge (Qg), fieldproven CoolMOS™ quality
- Outstanding cost/performance, high reliability, ease-of-use
- 16A ID (at 25°C) maximum
- THT mounting
- Minimum operating temperature is -55°C
- 280mohm RDS (on) (at10V) max and 66nC QG (typ at10V)
- 500V VDS maximum
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Note
Sostituzione per 500V CoolMOS e commercio; C3 è 500V CoolMOS e commercio; CE.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
16A
Stile di Case del Transistor
TO-220FP
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
160W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tensione Drain Source Vds
560V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.28ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Prodotti associati
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.003184
Tracciabilità del prodotto