S80KS2562GABHI020

L'S80KS2562GABHI020 è una DRAM (Dynamic RAM) con auto-refresh HYPERRAM™ high-speed CMOS da 256Mb con interfaccia HYPERBUS™. L'array della DRAM utilizza celle dinamiche, che richiedono un refresh periodico. La logica di controllo del refresh nel dispositivo gestisce le operazioni di refresh dell'array di DRAM quando la memoria non è in corso di lettura o scrittura attiva da parte dell'interfaccia HYPERBUS™ (host). Poiché all'host non è richiesto di gestire le operazioni di refresh, l'array di DRAM appare all'host come se utilizzasse delle celle statiche, che conservano i dati senza refresh. Per questo motivo, la memoria può essere descritta più precisamente come RAM pseudo statica (o PSRAM). Poiché le celle della DRAM non possono fare il refresh durante un'operazione di lettura o scrittura, un requisito essenziale è che l'host limiti le lunghezze di trasferimento dei burst di lettura o scrittura, per permettere le operazioni di refresh logico interne quando sono necessarie. Lo host deve limitare la durata delle transazioni e permettere la latenza aggiuntiva degli accessi iniziali, all'inizio di una nuova transazione, se la memoria indica il bisogno di un'operazione di refresh.

• Supporto interfaccia 1,8V, single-ended clock (CK) - 11 segnali di bus
• Chip Select (CS#), bus dati 8 bit (DQ[7:0]), reset hardware (RESET#)
• Read-Write Data Strobe (RWDS) bidirezionale, ingresso durante le transazioni di scrittura come Write Data Mask
• Uscita all'inizio di tutte le transazioni per indicare la latenza del refresh
• Uscita durante le transazioni di lettura come Read Data Strobe
• Velocità di clock massima: 200MHz, DDR: trasferimento dati su entrambi i fronti del clock
• Throughput dati: fino a 400MBps (3.200Mbps), caratteristiche di burst configurabili
• Tempo di accesso (tACC) massimo: 35ns, corrente in standby: 1,55mA (105°C)
• Package FBGA a 24 sfere
• Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C