S28HS512TGABHI010

Il S28HS512TGABHI010 è una memoria flash SEMPER™. Si tratta di un dispositivo flash NORT MIRRORBIT™ CMOS ad alta velocità conforme alle specifiche eXpanded SPI (xSPI) JESD251 JEDEC. La SEMPER™ è pensata per la sicurezza funzionale con sviluppo conforme allo standard ISO 26262 per raggiungere l'adesione ad ASIL-B e la preparazione per ASIL-D. La flash SEMPER™ fornisce un'architettura di settore flessibile. La logica di controllo del dispositivo è suddivisa in due sezioni operative parallele: lo Host Interface Controller (HIC) e l'Embedded Algorithm Controller (EAC). L'HIC monitora i livelli di segnale sugli ingressi del dispositivo e pilota le uscite come richiesto per completare i trasferimenti dei dati di lettura, programmazione e scrittura con il sistema host. La flash SEMPER™ con dispositivo di interfaccia ottale supporta il rilevamento e la correzione degli errori tramite la generazione di un codice di Hamming durante la programmazione dell'array di memoria.

• La tecnologia MIRRORBIT™ 45 nm memorizza due bit di dati in ogni cella dell'array di memoria
• Array al silicio OTP Secure di 1024 byte (32 x 32 byte)
• Legacy Block Protection (LBP) per la configurazione del dispositivo e degli array di memoria
• Advanced Sector Protection (ASP) per la protezione basata su settore dei singoli array di memoria
• L'AutoBoot permette l'accesso immediato agli array di memoria in seguito all'accensione
• I Serial Flash Discoverable Parameters (SFDP) descrivono le caratteristiche e le funzioni del dispositivo
• Densità 512Mb, SDR 200MHz e DDR 200MHz
• Tensione di alimentazione: 1,7V-2,0V
• Package BGA a 24 sfere
• Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C