S25FS512SAGNFI011

L'S25FS512SAGNFI011 è una memoria flash FS-S di 512Mb (64 MB) 1,8V, multi I/O SPI. Si tratta di una memoria flash non volatile che utilizza la tecnologia MIRRORBIT™ (che memorizza due bit di dati in ogni transistor dell'array di memoria) e l'architettura Eclipse (che migliora estremamente le prestazioni di programmazione e cancellazione) e una litografia di processo di 65 nm. L'architettura Eclipse FS-S è dotata di un buffer di programmazione della pagina che permette di programmare fino a 512 byte in una sola operazione, con risultati efficaci e più in fretta degli algoritmi di programmazione o cancellamento SPI della generazione precedente. L'S25FS512S offre alte densità, unite alla flessibilità e alle prestazioni rapide richieste da una varietà di applicazioni mobili o embedded. Si tratta di una soluzione eccellente per i sistemi di alimentazione, con spazio limitato e connettori di segnale. È ideale per lo shadowing del codice verso la RAM, eseguire il codice direttamente (XIP) e memorizzare i dati riprogrammabili.

• Comandi di lettura: normale, rapido, doppio I/O, quad I/O, quad I/O DDR, modalità: burst wrap/continuo (XIP), QPI
• Serial Flash Discoverable Parameters (SFDP) e interfaccia flash comune (CFI) per le informazioni di configurazione
• Minimo 100.000 cicli di Programme/Erase
• Conservazione dati per minimo 20 anni
• Array One Time Program (OTP) di 1024 byte
• Bit del registro di stato per controllare la protezione dal program/erase di una gamma di settori contigui
• Advanced Sector Protection (ASP), protezione dei settori individuali controllata dal codice di boot o da password
• Tensione di alimentazione: da 1,7V a 2,0V
• Package WSON a 8 contatti
• Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C