S25FL512SAGMFI011

L'S25FL512SAGMFI011 è una memoria flash FL-S di 512Mb 3,0V SPI multi I/O. Questo dispositivo si collega a un sistema host attraverso un'SPI. Supporta l'ingresso e l'uscita seriale a singolo bit tradizionali SPI e i comandi seriali opzionali a 2 bit e 4 bit. Questa interfaccia è nota come SPI multi I/O o MIO. Supporta i comandi di lettura DDR (Double Data Rate) per SIO, DIO e QIO che trasferiscono i dati di indirizzo e lettura in corrispondenza di entrambi i fronti di clock. L'architettura Eclipse è dotata di un buffer di programmazione della pagina che permette di programmare fino a 256 parole (512 byte) in una sola operazione, con risultati efficaci e più in fretta degli algoritmi di programmazione e cancellazione SPI della generazione precedente. L'esecuzione del codice direttamente dalla memoria flash è chiamata spesso Execute-In-Place o XIP.

• Densità: 512Mb, tecnologia di processo MIRRORBIT™ 65nm, velocità 133MHz
• La tecnologia MIRRORBIT™ archivia due bit di dati in ogni transistor dell'array di memoria
• L'architettura Eclipse migliora estremamente le prestazioni di programmazione e cancellazione
• Modalità di fase e polarità di clock SPI: 0 e 3, intervallo di tensione di alimentazione principale: 2,7V-3,6V
• Comandi: normale, rapido, dual, quad, fast DDR, dual DDR, quad DDR
• Dati CFI (Common Flash Interface) per le informazioni di configurazione
• Programmazione QPP (Quad-Input Page Programming) per sistemi con clock lento
• ECC automatico: generazione del codice a correzione d'errore (ECC) hardware interno con correzione su singolo bit
• Minimo 100.000 cicli di programmazione-cancellazione, conservazione dati minimo 20 anni
• Package SO a 16 pin, intervallo di temperatura industriale: da -40°C a + 85°C