ISC035N10NM5LF2ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 2,180 |
| 500+ | € 1,930 |
| 1000+ | € 1,890 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
L'ISC035N10NM5LF2ATMA1 è un FET lineare a singolo canale N OptiMOS™ 5 da 100V, 3,55mohm, 164A, in un package TDSON-FL a 8 pin. Offre la resistenza RDS(on) più bassa del settore e l'area di funzionamento sicuro (SOA) più ampia a 25˚C e 125˚C. Il FET lineare OptiMOS™ adotta un approccio rivoluzionario, che risolve il problema del compromesso tra RDS(on) e la capacità di modalità lineare. L'ISC035N10NM5LF2 è pensato per le applicazioni difficili e con alta corrente di spunto come quelle di hot-swap, e-fuse e protezione comuni nei sistemi di telecomunicazione, server di dati e gestione delle batterie (BMS).
- Test di valanga al 100%
- Tensione gate-source (Vgs): ±20V
- Dissipazione di potenza: 217W
- Temperatura di esercizio: da -55 a 175°C
Specifiche tecniche
canale N
164A
TDSON-FL
10V
217W
175°C
-
100V
0.0035ohm
montaggio superficiale (SMT)
3.9V
8Pin
OptiMOS 5 Series
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto