IRS21867STRPBF

L'IRS21867STRPBF è un driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione con canali di output indipendenti con riferimento high side e low side. Le tecnologie brevettate HVIC e CMOS immune ai corti di latch-up hanno permesso di realizzare una struttura monolitica rinforzata. La bassa tensione di collettore comune VCC permette l'utilizzo nelle applicazioni alimentate a batteria. L'ingresso logico è compatibile con gli output CMOS o LSTTL standard e fino a un livello logico di 3,3V. Il driver di uscita presenta uno stadio di buffer di corrente di impulso elevato pensato per una "cross-conduction" minima del driver. Il canale flottante può essere usato per pilotare un IGBT o un MOSFET a canale N nella configurazione high-side, che opera fino a 600V.

• Canale flottante pensato per il funzionamento dei bootstrap
• Tollerante alla tensione dei transitori negativi (immune a dV/dt)
• Funzionamento con bassa tensione di collettore comune Vcc
• Blocco in caso di sottotensione per entrambi i canali
• Ritardo di propagazione armonizzato per entrambi i canali
• Gate driver DI/DT inferiore per una migliore immunità al rumore
• Offset tra terra analogica GND e terra di potenza PGND: ±5V

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