IRLR120NTRPBF
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,724 |
| 10+ | € 0,630 |
| 100+ | € 0,470 |
| 500+ | € 0,398 |
| 1000+ | € 0,369 |
| 5000+ | € 0,300 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IRLR120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Logic level
Avvertenze
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Specifiche tecniche
canale N
10A
TO-252AA
10V
39W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.185ohm
montaggio superficiale (SMT)
2V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per IRLR120NTRPBF
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto