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IRLML2402TRPBF
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRLML2402TRPBF
Codice Prodotto9102710
Anche noto comeSP001552710
Datasheet tecnico
5 316 A Stock
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRLML2402TRPBF
Codice Prodotto9102710
Anche noto comeSP001552710
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id1.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.25ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima700mV
Dissipazione di potenza540mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Alternative per IRLML2402TRPBF
2 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
L'IRLML2402TRPBF è un MOSFET di potenza HEXFET®. Utilizza elementi in silicio testati che offrono ai progettisti un'ampia varietà di dispositivi per supportare varie applicazioni come i motori DC, inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico e applicazioni alimentate a batteria. Le applicazioni tipiche includono i moduli di controllo del tettuccio, le autoradio, la ricarica delle macchine elettriche e le infrastrutture di telecomunicazione.
- Struttura a cella planare per ampie architetture SOA, package SMT standard industriale
- Ottimizzato per la disponibilità più ampia possibile dai partner di distribuzione
- Qualifica di prodotto a norma di standard JEDEC
- Silicio ottimizzato per applicazioni con commutazione sotto <100kHz
- Robustezza maggiore, livello di qualificazione standard industriale
- Alte prestazioni in applicazioni a bassa frequenza, la piedinatura standard permette la sostituzione immediata
- Tensione di rottura drain-source: 20V min a VGS = 0V, ID = 250µA
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 0,25ohm max a VGS = 4,5V, ID = 0,93A
- Package Micro3™ (SOT-23)
- Range di temperatura di conservazione e giunzione: da -55 a +150°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.2A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
540mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.25ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
700mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto