IRLL2705TRPBF

L’IRLL2705TRPBF è un MOSFET di potenza a singolo canale N HEXFET® di quinta generazione, che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per raggiungere una resistenza di ON per area in silicio estremamente bassa. Questa caratteristica, unita alla struttura rinforzata e alla grande velocità di commutazione, fornisce un’operatività efficiente e affidabile. Il package è pensato per il montaggio superficiale tramite tecniche di saldatura a onda, infrarossi o vapore. La sua struttura unica permette un pick-and-place automatico come con gli altri package SOT o SOIC ma presenta il vantaggio aggiuntivo delle migliori performance termiche, grazie a una linguetta più grande che consente la dispersione del calore. Dissipazione di potenza di più di 1W possibile in un’applicazione a montaggio superficiale tipica.

• Variazione di tensione dV/dt dinamica
• Gate drive a livello logico
• Facilità di messa in parallelo
• Tecnologia di elaborazione avanzata
• Bassa resistenza di ON drain-to-source statica