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IRL7486MTRPBF
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRL7486MTRPBF
Codice Prodotto2577179RL
Gamma ProdottiStrongIRFET Series
Anche noto comeSP001567046
Datasheet tecnico
18 705 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRL7486MTRPBF
Codice Prodotto2577179RL
Gamma ProdottiStrongIRFET Series
Anche noto comeSP001567046
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id209A
Resistenza Drain-Source in conduzione1250µohm
Stile di Case del TransistorDirectFET ME
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza104W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiStrongIRFET Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 2 - 1 anno
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
209A
Stile di Case del Transistor
DirectFET ME
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
104W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1250µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
StrongIRFET Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 2 - 1 anno
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto