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IRFS7730TRLPBF
MOSFET di potenza, StrongIRFET™, canale N, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-263AB
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFS7730TRLPBF
Codice Prodotto2781142
Gamma ProdottiHEXFET
Anche noto comeSP001557578
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds75V
Corrente Continua di Drain Id195A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0026ohm
Stile di Case del TransistorTO-263AB
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.7V
Dissipazione di potenza375W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
MOSFET di potenza HEXFET® adatto per l'uso nelle applicazioni di conversione di frequenza dei motori a spazzole e BLDC, topologie a mezzo ponte e ponte intero, applicazioni con raddrizzatori sincroni, alimentatori in modalità risonante, alimentatori ridondanti e OR-ing, convertitori DC/DC e AC/DC, inverter DC/AC.
- Gate, valanga e rapporto dv/dt dinamico migliorati
- Area operativa di sicurezza (SOA) a valanga e capacità elettrica descritta nei dettagli
- Capacità di dV/dt e dI/dt del diodo avanzata
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
195A
Stile di Case del Transistor
TO-263AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
375W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
75V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0026ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
HEXFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Alternative per IRFS7730TRLPBF
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto