IRFR5410TRPBF
MOSFET di potenza, canale P, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)
Ti serve altro?
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,722 |
| 500+ | € 0,570 |
| 1000+ | € 0,521 |
| 5000+ | € 0,446 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IRFR5410TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale P
13A
TO-252AA
10V
66W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.205ohm
montaggio superficiale (SMT)
4V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Alternative per IRFR5410TRPBF
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto