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IRFP4332PBF

Name: INFINEON IRFP4332PBF
Brand: INFINEON
SKU: 1436966
Availability: BackOrder

MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247AC, foro passante (THT)

Date/Lot Code

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ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIRFP4332PBF

Codice Prodotto1436966

Anche noto comeSP001578038

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIRFP4332PBF

Codice Prodotto1436966

Anche noto comeSP001578038

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds250V

Corrente Continua di Drain Id57A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.033ohm

Stile di Case del TransistorTO-247AC

Montaggio Transistoreforo passante (THT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima5V

Dissipazione di potenza120mW

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max175°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The IRFP4332PBF is a HEXFET® single N-channel PDP switch Power MOSFET specifically designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. It combines to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.

Advanced process technology
Low EPULSE rating to reduce power dissipation
Low Qg for fast response
High repetitive peak current capability for reliable operation
Short fall and rise times for fast switching
Repetitive avalanche capability for robustness and reliability

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

57A

Stile di Case del Transistor

TO-247AC

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

120mW

Temperatura di esercizio max

175°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

250V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.033ohm

Montaggio Transistore

foro passante (THT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Documenti tecnici (3)

Technical Data Sheet EN

Simulation Model EN

Application Note EN

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.02268

Tracciabilità del prodotto