Stampa pagina
IRFML8244TRPBF
MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFML8244TRPBF
Codice Prodotto1857298
Anche noto comeSP001566992
Datasheet tecnico
7 963 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,289 |
| 10+ | € 0,182 |
| 100+ | € 0,119 |
| 500+ | € 0,110 |
| 1000+ | € 0,0968 |
| 5000+ | € 0,0838 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 1,44 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFML8244TRPBF
Codice Prodotto1857298
Anche noto comeSP001566992
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id5.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.024ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di potenza1.25W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L'IRFML8244TRPBF è un MOSFET di potenza HEXFET® a canale N con perdite di commutazione più basse e affidabilità aumentata. Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale attuali.
- Piedinatura standard industriale
- Qualificazione del consumatore MSL1
- Perdite di commutazione inferiori
- Rispettoso dell'ambiente
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5.8A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
25V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.024ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (4)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000008
Tracciabilità del prodotto