2 500 Puoi prenotare le disponibilità ora
Quantità | |
---|---|
5+ | € 0,705 |
50+ | € 0,398 |
100+ | € 0,361 |
500+ | € 0,278 |
1000+ | € 0,253 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IRFL014NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale N
1.9A
SOT-223
10V
1W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.16ohm
montaggio superficiale (SMT)
4V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto