Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFHM830TRPBF
Codice Prodotto1857346
Anche noto comeSP001566782
Datasheet tecnico
3 564 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
A disposizione fino ad esaurimento scorte
Quantità | |
---|---|
1+ | € 0,505 |
10+ | € 0,485 |
100+ | € 0,431 |
500+ | € 0,362 |
1000+ | € 0,340 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 0,50 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFHM830TRPBF
Codice Prodotto1857346
Anche noto comeSP001566782
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id40A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0038ohm
Stile di Case del TransistorQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.8V
Dissipazione di potenza2.7W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternative per IRFHM830TRPBF
2 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
The IRFHM830TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for battery protection, point of load ControlFET, high side and low side load switch. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Low RDS (ON) (<lt/>3.8mΩ) results in low conduction losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>3.4°C/W) enables better thermal dissipation
- 100% Rg tested for increased reliability
- Halogen-free
- Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
40A
Stile di Case del Transistor
QFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
2.7W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0038ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.8V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.009072
Tracciabilità del prodotto