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IRFH7545TRPBF
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 85 A, 0.0052 ohm, PQFN, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFH7545TRPBF
Codice Prodotto2709882
Gamma ProdottiStrongIRFET, HEXFET
Anche noto comeSP001554800
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFH7545TRPBF
Codice Prodotto2709882
Gamma ProdottiStrongIRFET, HEXFET
Anche noto comeSP001554800
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id85A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0052ohm
Stile di Case del TransistorPQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.7V
Dissipazione di potenza83W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiStrongIRFET, HEXFET
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
85A
Stile di Case del Transistor
PQFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
83W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0052ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.7V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
StrongIRFET, HEXFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00443
Tracciabilità del prodotto