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IRFH5250DTRPBF
MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 100 A, 0.0014 ohm, QFN, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFH5250DTRPBF
Codice Prodotto2781124
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001577928
Datasheet tecnico
3 785 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFH5250DTRPBF
Codice Prodotto2781124
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeSP001577928
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0014ohm
Stile di Case del TransistorQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.8V
Dissipazione di potenza156W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Alternative per IRFH5250DTRPBF
2 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
IRFH5250DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET. Applications include synchronous MOSFET for high frequency buck converters.
- Low RDSon (<lt/>1.4mohm), lower conduction losses
- Schottky intrinsic diode with low forward voltage, lower switching losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>0.8°C/W), enable better thermal dissipation
- 100%Rg tested, increased reliability
- Low profile (<lt/>0.9mm), increased power density
- Industry-standard pinout, multi-vendor compatibility
- Compatible with existing surface mount techniques, easier manufacturing
- Environmentally friendlier, increased reliability
- 25V minimum drain-to-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1.0mA, TJ = 25°C)
- BF PQFN package, operating junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
QFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
156W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
25V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0014ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.8V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000025