Stampa pagina
IRFB7730PBF
MOSFET di potenza, HEXFET, canale N, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFB7730PBF
Codice Prodotto2456726
Anche noto comeSP001556128
Datasheet tecnico
933 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 2,650 |
| 10+ | € 2,460 |
| 100+ | € 1,490 |
| 500+ | € 1,420 |
| 1000+ | € 1,390 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 2,65 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRFB7730PBF
Codice Prodotto2456726
Anche noto comeSP001556128
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds75V
Corrente Continua di Drain Id195A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0026ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.7V
Dissipazione di potenza375mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L’IRFB7730PBF è un singolo MOSFET di potenza a canale N HEXFET® con derivata della tensione dV/dt dinamica, valanga e gate potenziati. Il MOSFET StrongIRFET™ è adatto per i circuiti alimentati a batteria, le topologie half-bridge e full-bridge, le applicazioni con raddrizzatore sincrono, inverter DC-AC, convertitori DC-DC e AC-DC.
- Area operativa di sicurezza (SOA) a valanga e capacità elettrica descritta nei dettagli
- Capacità di dV/dt e di/dt del diodo avanzata
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
195A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
375mW
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
75V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0026ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto