Stampa pagina

IRFB4229PBF

Name: MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
Brand: INFINEON
SKU: 1436957
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)

Date/Lot Code

L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIRFB4229PBF

Codice Prodotto1436957

Anche noto comeSP001565910

Datasheet tecnico

Data Sheet

Visualizza tutti i documenti tecnici

804 A Stock

Ti serve altro?

Consegna in 1-2 giorni lavorativi

Ordina prima delle 17:00 spedizione standard

Quantità
1+	€ 3,090
10+	€ 2,790
100+	€ 1,480
500+	€ 1,200
1000+	€ 1,190

Prezzo per:Unità

Minimo: 1

Più: 1

€ 3,09 (IVA esc)

Aggiungi codice prodotto /nota

Nota prodotto

Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.

Codice prodotto

Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.

Informazioni sui prodotti

ProduttoreINFINEON

Cod. produttoreIRFB4229PBF

Codice Prodotto1436957

Anche noto comeSP001565910

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds250V

Corrente Continua di Drain Id46A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.038ohm

Stile di Case del TransistorTO-220AB

Montaggio Transistoreforo passante (THT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima5V

Dissipazione di potenza330W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max175°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The IRFB4229PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.

Advanced process technology
Low Qg for fast response
High repetitive peak current capability for reliable operation
Short fall and rise times for fast switching
Repetitive avalanche capability for robustness and reliability

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

46A

Stile di Case del Transistor

TO-220AB

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

330W

Temperatura di esercizio max

175°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Tensione Drain Source Vds

250V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.038ohm

Montaggio Transistore

foro passante (THT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Documenti tecnici (3)

Technical Data Sheet EN

Application Note EN

Simulation Model EN

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.002797

Tracciabilità del prodotto